[发明专利]相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201010581188.5 | 申请日： | 2010-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102544355A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 吕业刚;宋三年;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C22C12/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供一种相变存储材料及其制备方法、具有所述相变存储材料的存储器及其制备方法，其中所述相变存储材料为镓-锑的化合物，化学计量为GaxSb100-x，其中，0 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 材料 及其 制备 方法 具有 存储器 | ||
【主权项】：
一种相变存储材料，其特征在于，所述相变存储材料为镓‑锑的化合物，化学计量为GaxSb100‑x，其中，0＜x＜50。
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