[发明专利]钼酸碲铯晶体及其助熔剂法生长与应用有效
| 申请号： | 201010581219.7 | 申请日： | 2010-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102011189A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 陶绪堂;张俊杰;孙友轩;张承乾;蒋民华 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B9/12 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及钼酸碲铯晶体及其助熔剂法生长与应用。钼酸碲铯晶体，六方晶系，空间群为P63，在430～5380nm的波长范围内均有透过；室温下压电系数d33＝20.5pC/N，用Nd:YAG激光器产生的波长为1064nm的红外激光入射晶体，产生强烈的绿光；采用助熔剂法进行晶体生长制得大尺寸单晶，用于制作压电器件，还用作非线性光学晶体、铁电晶体、热释电晶体和激光基质晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 钼酸 晶体 及其 熔剂 生长 应用 | ||
【主权项】：
钼酸碲铯晶体，化学式为Cs2TeMo3O12，属于六方晶系，空间群为P63，紫外‑可见‑近红外透过光谱和中红外透过光谱显示，该晶体在430～5380nm的波长范围内均有透过；室温下，压电系数d33＝20.5pC/N；用Nd:YAG激光器产生的波长为1064nm的红外激光入射晶体，产生强烈的绿光；采用助熔剂法进行晶体生长，步骤如下：(1)将铯源、TeO2和MoO3按化学计量比配料，混合均匀，在330～480℃范围内反应，合成钼酸碲铯多晶，将钼酸碲铯多晶加入到助熔剂中；或者将铯源、TeO2和MoO3按化学计量比配料，加入到助熔剂中，混合均匀；得晶体生长料；所述铯源是Cs2CO3、含结晶水的碳酸铯或氢氧化铯；所述助熔剂为下列之一：(a)TeO2‑MoO3，其中TeO2与MoO3摩尔比(2～0.25)∶1，(b)Cs2CO3‑TeO2，其中Cs2CO3与TeO2摩尔比(0.25～4)∶1，(c)Cs2CO3‑MoO3，其中Cs2CO3与MoO3摩尔比(0.5～1)∶1，(d)TeO2，(e)MoO3，(f)B2O3，(g)PbO‑B2O3，(2)将步骤(1)所得晶体生长料装入铂金坩埚，升温至550℃使之完全熔化，充分混合，下入籽晶杆并转动，降温使晶体自发结晶；或者升温至550℃使之完全熔化，降温至熔体饱和点，下入钼酸碲铯籽晶并转动，降温使晶体生长；所述晶体生长温度区间为400～500℃，降温速率为0.01～5℃/h。
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