[发明专利]重掺单晶硅片先碱腐蚀后酸腐蚀的腐蚀工艺

摘要

本发明涉及重掺单晶硅片先碱腐蚀后酸腐蚀的腐蚀工艺。本腐蚀工艺将单晶硅片先用浓度为30%的氢氧化钾水溶液进行碱腐蚀，设定腐蚀温度84℃，腐蚀时间为7min12s，碱腐蚀去除量达20μm左右；然后将碱腐蚀后的单晶硅片进行清洗，甩干；再用氢氟酸15%～25%、硝酸25%～30%、醋酸50%～60%配比的酸腐蚀液进行酸腐蚀，设定腐蚀温度在28℃，腐蚀时间为14s，酸腐蚀去除量达10μm左右。采取本工艺，可以稳定生产出TTV增加值小于2.5μm，表面良好的重掺腐蚀单晶硅片,产品合格率高达98%以上。从而可满足市场对低TTV重掺腐蚀片的需求，并将在市场中占据有利位置。

主权项

一种重掺单晶硅片先碱腐蚀后酸腐蚀的腐蚀工艺，其特征在于：其工艺如下：（1）、先将清洗后的重掺单晶硅片放入浓度为30%的氢氧化钾水溶液中进行碱腐蚀，设定腐蚀温度为84℃，腐蚀时间为7min12s；（2）、将碱腐蚀后的单晶硅片进行清洗，之后甩干；（3）、将甩干后的单晶硅片放入酸腐蚀液中进行酸腐蚀，酸腐蚀液是由氢氟酸、硝酸、醋酸进行混合的溶液，各组分所占的重量百分比为：氢氟酸15%～25%；硝酸25%～30%；醋酸50%～60%；设定腐蚀温度为28℃；腐蚀时间为14s。