[发明专利]一种X波段压控振荡器无效
申请号: | 201010581462.9 | 申请日: | 2010-12-09 |
公开(公告)号: | CN102055472A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 吴君;邓腾彬;王鲁豫;吕洪光;陈奕湖;唐润山 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03L7/099 | 分类号: | H03L7/099 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种X波段压控振荡器,属于电子技术领域。本发明采用BZN介质薄膜压控电容对电路进行调谐,调谐带宽大于100MHz,采用半波长U型微带线耦合谐振器作为VCO的谐振回路,降低压控振荡器的相位噪声;调谐和偏置电路采用高低阻抗线实现扼流;采用低损耗氧化铝陶瓷基片和微带线集成工艺,具有体积小、重量轻的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 波段 压控振荡器 | ||
【主权项】:
一种X波段压控振荡器,制作于氧化铝陶瓷基片上,包括一个半波长U型微带线耦合谐振器、一个BZN介质薄膜压控电容(Cv)和一个砷化镓场效应晶体管;半波长U型微带线耦合谐振器由一个半波长U型微带线谐振器和分别与半波长U型微带线谐振器两个侧边平行耦合的微带线构成;半波长U型微带线耦合谐振器中,与半波长U型微带线谐振器一个侧边平行耦合的微带线(20)的一端通过BZN介质薄膜压控电容(Cv)接地;与半波长U型微带线谐振器的另一个侧边平行耦合的微带线(8)的一端通过第一微带连接线(9)后再通过匹配电阻(R1)接地,另一端依次通过第二微带连接线(7)、第一隔直电容(C2)和第三微带连接线(6)后接砷化镓场效应晶体管的源极(S);砷化镓场效应晶体管的栅极(G)通过相位调节微带线(4)接地,砷化镓场效应晶体管的漏极(D)依次通过第一微带高阻线(3)、第四微带连接线(2)、第二隔直电容(C1)后与输出微带线(1)相连;BZN介质薄膜压控电容(Cv)的压控信号通过第二微带高阻线(22)施加于与半波长U型微带线谐振器一个侧边平行耦合的微带线(20)的中间点,第二微带高阻线(22)上具有由第一旁路电容(C5)和第一扇形微带开路枝节(23)构成的低通滤波器;砷化镓场效应晶体管的漏极(D)偏置电压通过第三微带高阻线(11)施加于第四微带连接线(2)上,第三微带高阻线(11)上具有由第二旁路电容(C3)和第二扇形微带开路枝节(12)构成的低通滤波器;砷化镓场效应晶体管的源极(S)偏置电压通过第四微带高阻线(14)施加于第三微带连接线(6)上,第四微带高阻线(14)上具有由第三旁路电容(C4)和第三扇形微带开路枝节(15)构成的低通滤波器。
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