[发明专利]提高台阶金属覆盖率的通孔刻蚀方法无效
申请号: | 201010582112.4 | 申请日: | 2010-12-09 |
公开(公告)号: | CN102110642A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 王强;梁涛;王斌;刘勇;杨永晖 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/311 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明涉及一种提高台阶金属覆盖率的通孔刻蚀方法。本发明方法通过调整牺牲层,即光致抗蚀剂的曝光显影及高温坚膜条件,在光致抗蚀剂上形成通孔图案,再以图案化的牺牲层作为掩蔽层,通过调整离子体刻蚀工艺的工艺条件参数,得到开口具有一定斜度且顶部轮廓圆滑的介质通孔。本发明方法的通孔处的台阶金属覆盖率达90%以上。本方法在一台等离子刻蚀机机上只用一种程序,一次形成通孔结构,生产效率大大提高,生产成本大幅降低。本发明方法广泛用于集成电路制造技术中的干法刻蚀领域。 | ||
搜索关键词: | 提高 台阶 金属 覆盖率 刻蚀 方法 | ||
【主权项】:
一种提高台阶金属覆盖率的通孔刻蚀方法,其特征在于,包括步骤:1)准备硅衬底,并在硅衬底上淀积介质层;2)在所述介质层上均匀涂布光致抗蚀剂,作为牺牲层;3)根据实际通孔的需要,采用光刻曝光技术,图案化所述牺牲层,在牺牲层上形成通孔图案;4)等离子体刻蚀所述介质层,形成通孔;5)去除所述牺牲层。
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