[发明专利]小型宽带半模基片集成波导平面魔T结构

摘要

本发明涉及一种小型宽带半模基片集成波导HMSIW平面魔T结构。该小型宽带半模基片集成波导HMSIW平面魔T包括介质基板上、中、下三层金属面，介质基板含有一排金属柱，中间层金属面蚀刻出的槽线结构，能很好地实现从微带线到半模基片集成波导HMSIW的能量传输。采用的半模基片集成波导HMSIW等功分网络，代替了传统的分支结构，使整个平面魔T的结构比以往基片集成波导SIW平面魔T结构体积减小了3/4，并且使魔T的相对工作带宽有了很大的提高，而且该平面魔T的和差臂以及等功分端口之间具有良好的隔离特性。该小型宽带半模基片集成波导HMSIW平面魔T设计简单，体积小，电性能好，易于和其他平面微波毫米波电路集成。

主权项

一种小型宽带半模基片集成波导平面魔T结构，其特征在于：包括上层介质基板、下层介质基板、上层金属面[1]、中间层金属面[2]、底层金属面[3]、一排带有耦合开口的金属柱[4]及槽线结构[12]；金属柱[4]的耦合开口长度为该半模基片集成波导平面魔T结构中心频率处波长的二分之一，该耦合开口中心距等功率输出端口四分之一波长，上层金属面[1]位于上层介质基板的上表面，中间层金属面[2]位于上层介质基板的下表面或下层介质基板的上表面，底层金属面[3]位于下层介质基板的下表面，在中间层金属面[2]上蚀刻有槽线结构[12]，该槽线结构[12]包括槽线和扇形短路线[13]，槽线在金属柱[4]外侧，槽线末端与扇形短路线[13]相连接，且槽线位于耦合开口的中间并与该开口垂直；上层介质基板上的50欧姆微带线[11]与槽线结构[12]上下垂直相交，50欧姆微带线[11]末端为一段开路的阶跃阻抗线[5]。