[发明专利]三氯氢硅生产中尾气的处理工艺及其装置无效

专利信息
申请号: 201010583695.2 申请日: 2010-12-08
公开(公告)号: CN102101000A 公开(公告)日: 2011-06-22
发明(设计)人: 石明胜;闵运豪;罗涛;杨霖;徐智 申请(专利权)人: 湖北江钻天祥化工有限公司
主分类号: B01D53/18 分类号: B01D53/18;B01D53/14;B01D5/00;C01B7/07;C01B33/107
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 朱盛华
地址: 433123 湖北省潜*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种三氯氢硅生产中的尾气处理工艺及其装置。处理工艺为,三氯氢硅合成工段和三氯氢硅分馏工段的尾气经隔膜压缩机加压压缩处理后,依次通过机后水冷冷凝器冷凝,机后深冷冷凝器深冷凝,循环吸收塔吸收,并回收氯硅烷。循环吸收塔吸收后的尾气经过两级降膜吸收塔回收尾气中的氯化氢,制成浓度为30%的盐酸,经降膜吸收塔吸收后的尾气检验合格后直接放空。处理装置由用管道串接的隔膜压缩机、机后水冷冷凝器、机后深冷冷凝器、循环吸收塔和降膜吸收塔组成,隔膜压缩机有尾气进料口,降膜吸收塔有出料口和放空口。采用本发明,能回收99.5%的氯硅烷和氯化氢。采用本发明既回收了尾气中的大部分氯硅烷和氯化氢,进行再利用有利于环保。
搜索关键词: 三氯氢硅 生产 尾气 处理 工艺 及其 装置
【主权项】:
三氯氢硅生产中尾气的处理工艺,其特征在于具体步骤如下:1)三氯氢硅合成工段和三氯氢硅分馏工段的尾气经隔膜压缩机加压压缩处理,加压压力:0.5~0.8Mpa,2)经机后水冷冷凝器冷凝,机后深冷冷凝器深冷凝,冷凝温度:‑30℃~‑25℃,3)流经循环吸收塔,循环吸收塔的吸收剂—三氯氢硅生产中的副产品四氯化硅吸收三氯硅烷被,回收三氯硅烷,冷凝温度:‑25℃~‑20℃,压力:0.5~0.55Mpa,4)循环吸收塔吸收后的尾气经过两级降膜吸收塔回收尾气中的氯化氢,制成浓度为30%的盐酸,经降膜吸收塔吸收后的尾气直接放空,降膜吸收塔内气体温度:‑15℃~0℃,压力:0.1~0.25Mpa。
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