[发明专利]高电压垂直结构半导体发光二极管无效
| 申请号： | 201010584089.2 | 申请日： | 2010-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102110683A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 金木子 | 申请（专利权）人： | 金木子 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及高电压垂直结构半导体发光二极管。一个高电压垂直结构LED芯片包括，支持衬底和数个垂直结构LED单元，垂直结构LED单元设置在带有通孔的绝缘支持衬底上，垂直结构LED单元按照串联的方式电连接。垂直结构LED单元包括，(A)半导体外延薄膜；半导体外延薄膜设置在带有通孔的绝缘支持衬底的金属膜上。(B)钝化层；钝化层覆盖带有通孔的绝缘支持衬底、金属膜和半导体外延薄膜；在半导体外延薄膜的上方的钝化层上的预定的位置上形成窗口；在金属膜的上方的钝化层上的预定的位置上形成窗口；(C)金属电极；金属电极通过窗口层叠在半导体外延薄膜上并向预定的相邻的垂直结构LED单元的金属膜延伸并通过在相邻的垂直结构LED单元的金属膜上的窗口与该金属膜形成电连接，使得两个相邻的垂直结构LED单元形成串联方式的电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 垂直 结构 半导体 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种垂直结构LED芯片，其特征在于，所述的垂直结构LED芯片包括，带有通孔的绝缘支持衬底和至少两个垂直结构LED单元；其中，所述的带有通孔的绝缘支持衬底包括，绝缘衬底、通孔与金属栓和形成在所述的绝缘衬底的两个主表面上的多个金属膜；其中，所述的绝缘衬底上形成所述的通孔，所述的通孔中填充所述的金属栓；至少三个所述的金属膜形成在所述的带有通孔的绝缘衬底的第一个主表面上；两个所述的金属膜形成在所述的带有通孔的绝缘衬底的第二个主表面上；形成在所述的第二个主表面上的所述的两个金属膜与形成在所述的第一个主表面上的相对应的两个金属膜通过所述的金属栓形成电连接；形成在同一个主表面上的多个所述的金属膜互相电绝缘；所述的垂直结构LED单元分别设置在所述的带有通孔的绝缘衬底的第一个主表面上的所述的金属膜上；所述的垂直结构LED单元按照串联的方式电连接，使得所述的垂直结构LED芯片可以承受高电压。
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