[发明专利]BiCMOS工艺中的PN结变容器及制造方法有效
| 申请号： | 201010585008.0 | 申请日： | 2010-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102544119A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈帆;陈雄斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BiCMOS工艺中的PN结变容器，包括一N型区、P型区和一N型赝埋层。N型区和P型区形成于有源区中并相接触形成PN结，P型区处于N型区的上部。N型赝埋层形成于有源区两侧的浅槽场氧的底部并和N型区相接触，通过在N型赝埋层顶部的浅槽场氧中形成深孔接触引出N型区。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中的PN结变容器的制造方法。本发明器件能大大减少器件的面积、减少器件的传导电阻，同时还能保持良好的器件性能，还能作为BiCMOS高频电路中的输出器件。 | ||
| 搜索关键词： | bicmos 工艺 中的 pn 容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种BiCMOS工艺中的PN结变容器，形成于P型硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，所述PN结变容器包括：一N型区，由形成于所述有源区中的N型离子注入区组成，所述N型区的深度大于所述浅槽场氧底部深度，所述N型区的底部横向延伸进入所述有源区两侧的所述浅槽场氧底部；一N型赝埋层，形成于所述有源区两侧的所述浅槽场氧底部，所述N型赝埋层和所述N型区的底部横向延伸部分形成接触，通过在所述N型赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成的深孔接触引出所述N型区；一P型区，由形成于所述有源区中的P型离子注入区组成，所述P型区位于所述N型区的上部区域中、所述P型区和所述N型区相接触形成PN结；通过所述P型区顶部的金属接触引出所述P型区。
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