[发明专利]一种使用直径0.1mm钢线切割硅片的工艺无效
申请号: | 201010585221.1 | 申请日: | 2010-12-13 |
公开(公告)号: | CN102059749A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 靳立辉;刘涛;邢玉军;郭红慧;孙红永;蒲福利;张雪囡;李翔;沈浩平 | 申请(专利权)人: | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
主分类号: | B28D5/04 | 分类号: | B28D5/04 |
代理公司: | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人: | 莫琪 |
地址: | 300384 天津市南开*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种使用直径0.1mm钢线切割硅片的工艺,将SiC金刚砂与切削液按照1:1~1:1.2的质量比进行配比,在胶固化的过程中使用5-10kg加压重锤对单晶加压,排除多余的胶;加压时间为0.5-3小时;使用直径0.10mm钢线,在15-23N的预加张力作用下,线速度400-1000m/min,工作台下降速度在0.3-1mm/min。切割行程根据单晶实际直径设定,用直径0.1mm钢线切割硅片可以有效降低切割损耗量,有效缩小切割损耗量,改善切割表面质量,相比普遍采用的0.14mm、0.12mm钢线节约原材料6.45%和2.15%,而且硅片的厚度越小,效益越明显。 | ||
搜索关键词: | 一种 使用 直径 0.1 mm 切割 硅片 工艺 | ||
【主权项】:
一种使用直径0.1mm钢线切割硅片的工艺,其特征在于,包括如下次序步骤:(1)砂浆配制:将SiC金刚砂与切削液按照1:1~1:1.2的质量比进行配比,使砂浆密度达到1.6~1.7之间,使用机械搅拌的方式,搅拌6~12小时;(2)粘棒:单晶在粘接前,对单晶表面进行处理,使用无水乙醇擦拭单晶粘接表面,粘接剂使用美国AD胶,连接材料使用玻璃板,在胶固化的过程中使用5‑10kg加压重锤对单晶加压,排除多余的胶;加压时间为0.5‑3小时;(3)切割预热:切割前砂浆在切割工作舱内进行循环,并使用300‑500m/min的速度进行钢线往复运行,使切割环境达到稳定状态;预热时间为10‑90分钟;(4)切割:切割工艺设定,使用直径0.10mm钢线,在15‑23N的预加张力作用下,线速度400‑1000m/min,工作台下降速度在0.3‑1mm/min.切割行程根据单晶实际直径设定;(5)下料:单晶切割完毕后,关闭砂浆供给,打开切割工作舱舱门,确认单晶是否切割完全,点动慢速抬升按钮,确认钢线是否夹线;单晶完全与钢线脱离后,按快速抬升按钮,工作台复位到原点,将单晶使用下料车取下;(6)去胶:切下后的硅片倒悬于冲片设备上,使用清水喷淋冲洗硅片间的砂浆,清水喷淋5‑20分钟,基本将砂浆冲净后,用手将硅片取下;(7)清洗:使用湿法化学超声清洗的方法,每个工位超声清洗时间为3‑10分钟,清洗过程中硅片在清洗槽中上下抛动,进行硅片表面的清洗,去离子水对硅片进行漂洗后,甩干或者烘干干燥。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津市环欧半导体材料技术有限公司,未经天津市环欧半导体材料技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010585221.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:定向及图案化排列一维有机纳米材料的方法
- 下一篇:O型圈自动装配装置