[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 201010585771.3 | 申请日： | 2010-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102544272A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 肖志国;常远;武胜利;王力明;高本良 | 申请（专利权）人： | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116025 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管芯片及其制造方法，特别涉及一种以砷化镓材料为衬底的发光二极管芯片及其制造方法。本发明提出一种在芯片侧面移除部分砷化镓衬底来制作一个填充区域，然后使用透明填充材料对该区域进行填充的发光二极管。这样结构的发光二极管芯片减少了砷化镓衬底吸收光线所占面积，使得原本射向衬底方向的光线经由填充区域从侧面射出，提高了半导体发光二极管芯片的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，其结构包括：砷化镓衬底(100)、发光外延层(200)、第一电极(301)和第二电极(302)；其特征在于砷化镓衬底(100)存在一个填充区域(101)，填充区域(101)处在芯片侧面边缘位置，环绕砷化镓衬底(100)四周，该区域上部与发光外延层(200)接触，纵向高度为砷化镓衬底(100)高度的15％‑100％，横向宽度为芯片总宽度的10％‑35％，且填充区域内填充有透明介电物质。
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