[发明专利]用于提供具有改进的读取传感器的磁式变换器的方法和系统有效
| 申请号： | 201010585835.X | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102097101A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | Q·冷;J·X·申;F·刘;G·W·安德尔森 | 申请（专利权）人： | 西部数据(弗里蒙特)公司 |
| 主分类号： | G11B5/37 | 分类号： | G11B5/37 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于提供具有改进的读取传感器的磁式变换器的方法和系统。描述一种用于提供磁式变换器中的磁结构的方法和系统。该方法和系统包括提供钉扎层、与钉扎层相邻的合成反铁磁介质(SAF)、非磁性层和传感器层。SAF位于非磁性层与钉扎层之间。非磁性层位于SAF层与传感器层之间。SAF包括被钉扎层、参考层和在被钉扎层与参考层之间的非磁性分隔层。被钉扎层被磁性耦合于参考层并且包括多个子层。第一子层具有第一截止温度分布(TBD)和第一交换能量。第二子层具有第二TBD和第二交换能量。第一子层在钉扎层与第二子层之间。第一TBD大于第二TBD。第一交换能量小于第二交换能量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提供 具有 改进 读取 传感器 变换器 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种被配置以在磁性变换器中使用的磁阻结构，包括：钉扎层；与所述钉扎层相邻的合成反铁磁介质，即SAF，所述SAF包括被钉扎层、参考层和在所述被钉扎层与所述参考层之间的非磁性分隔层，所述被钉扎层磁性耦合于所述参考层并且包括多个子层，所述多个子层中的第一子层具有第一截止温度分布，即TBD，和第一交换能量，所述多个子层中的第二子层具有第二TBD和第二交换能量，所述第一子层位于所述钉扎层与所述第二子层之间，所述第一TBD大于所述第二TBD，所述第一交换能量小于所述第二交换能量；非磁性层，所述SAF位于所述非磁性层与所述钉扎层之间；以及传感器层，所述非磁性层位于所述SAF与所述传感器层之间。
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