[发明专利]一种扇形阵列探测器及其制作方法无效
申请号: | 201010586098.5 | 申请日: | 2010-12-14 |
公开(公告)号: | CN102157530A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 魏臻;姜啸宇;张岷;申风婷;钟声;樊秀梅;闫富荣;王树雨;王茂荣 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01J5/20 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 颜济奎 |
地址: | 300191*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种扇形阵列探测器及其制作方法,属于探测器制造领域。其结构为:由N型材料基底和注入硼离子产生的P型区构成的圆形PN结探测片,圆形PN结探测片外圆周及边缘上有透明导电氧化物薄膜、在圆形PN结探测片上进行光刻产生的多个单一扇形探测阵元组成的阵列,扇形探测阵列表面及阵列间的缝隙中沉积有绝缘介质膜;在透明导电氧化物薄膜上焊接铜引脚,引出导线连接数据采集系统。能够以低阵元数探测阵列输出高像素数图像,该扇形阵列探测器的结构设计方法可以应用于大规模阵列探测的制造中,在可见光CCD探测器和红外CCD、红外热像焦平面阵列探测器、测温探测器领域有着广泛的应用前景。本发明大幅降低探测器制造成本,提高探测精确度。 | ||
搜索关键词: | 一种 扇形 阵列 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种扇形阵列探测器,其特征在于,其结构从上至下为:N型材料基底和注入硼离子产生的P型区构成的圆形PN结探测片,圆形PN结探测片外圆周及边缘上有透明导电氧化物薄膜、在圆形PN结探测片上进行光刻产生的多个单一扇形探测阵元组成的阵列,扇形探测阵列表面及阵列间的缝隙中沉积有绝缘介质膜;在透明导电氧化物薄膜上焊接铜引脚,引出导线连接数据采集系统。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学,未经天津理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010586098.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用于建筑初模的数控热切割加工装置
- 下一篇:半导体封装
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的