[发明专利]交流表面贴片式垂直结构半导体发光二极管

摘要

交流表面贴片式垂直结构半导体发光二极管包括，多个直流垂直结构LED单元芯片，垂直结构LED单元芯片按照预定的正反向并联或桥式整流的方式电连接。垂直结构LED单元包括，(A)半导体外延薄膜；半导体外延薄膜设置在通孔支持衬底的金属膜上。(B)钝化层；钝化层覆盖通孔支持衬底、金属膜和半导体外延薄膜；在半导体外延薄膜的上方的钝化层上的预定的位置上形成窗口；在金属膜的上方的钝化层上的预定的位置上形成窗口；(C)金属电极；金属电极通过窗口层叠在半导体外延薄膜上并向预定的相邻的垂直结构LED单元的金属膜延伸并通过在相邻的垂直结构LED单元的金属膜上的窗口与该金属膜形成电连接，使得两个相邻的垂直结构LED单元形成电连接。

主权项

一种交流表面贴片式垂直结构LED芯片，其特征在于，所述的交流表面贴片式垂直结构LED芯片包括，通孔支持衬底和多个直流的垂直结构LED单元芯片；其中，所述的通孔支持衬底包括绝缘支架，所述的绝缘支架的预定位置上形成多个通孔，所述的通孔中填充金属栓，所述的绝缘支架的第二主表面上形成互相电绝缘的N‑电极和P‑电极；所述的绝缘支架的与所述的第二主表面相对的第一主表面上形成互相电绝缘的N电极‑金属膜、P电极‑金属膜和多个金属膜；所述的N‑电极和P‑电极分别通过所述的金属栓与所述的N电极‑金属膜和P电极‑金属膜电连接；所述的直流垂直结构LED单元芯片包括所述的绝缘支架的第一主表面上的多个所述的金属膜、层叠在所述的金属膜上的半导体外延薄膜、钝化层和金属电极；其中，所述的金属电极把所述的N电极‑金属膜、多个所述的半导体外延薄膜和所述的P 电极‑金属膜按照预定的方式形成正反向并联或桥式整流的电连接，形成交流表面贴片式垂直结构LED芯片。