[发明专利]类salen及二酮基镝四核簇合物型单分子磁性材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010586779.1 申请日: 2010-12-14
公开(公告)号: CN102087900A 公开(公告)日: 2011-06-08
发明(设计)人: 孙文彬;闫鹏飞;田永梅;李洪峰;李光明 申请(专利权)人: 黑龙江大学
主分类号: H01F1/42 分类号: H01F1/42;C07F5/00
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 韩末洙
地址: 150080 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 类salen及二酮基镝四核簇合物型单分子磁性材料及其制备方法,它涉及一种簇合物及其制备方法。本发明要解决现有镝四核簇合物单分子磁性材料有效自旋反转能垒低的技术问题。类salen及二酮基镝四核簇合物型单分子磁性材料的分子式为[Dy4(μ3-OH)2L2(acac)4]·H2LCH3CN。本发明方法如下:一、在室温下,将1,2-环己二胺缩水杨醛和乙酰丙酮溶解在非质子性极性溶剂中,加入有机碱,得到混合物A;二、氯化镝盐加入质子性极性溶剂中,得到混合物B;三、将混合物B滴加到混合物A中,然后搅拌反应,过滤,将滤液静止14天。应用在高密度信息储存和量子计算机等领域。
搜索关键词: salen 二酮基镝四核簇合物型单 分子 磁性材料 及其 制备 方法
【主权项】:
类salen及二酮基镝四核簇合物型单分子磁性材料,其特征在于类salen及二酮基镝四核簇合物型单分子磁性材料的分子式为[Dy4(μ3‑OH)2L2(acac)4]·H2LCH3CN,是具有零维、四核和共面结构的镝簇合物,有效自旋反转能垒Ueff为20.72K,磁化弛豫时间为τ0为4.55×10‑6s。
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