[发明专利]基于衬底集成波导开口谐振环的微波带通滤波器有效

专利信息
申请号: 201010586893.4 申请日: 2010-12-13
公开(公告)号: CN102013537A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: 李超 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20;H01P1/203;H01P11/00
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 解婷婷;龙洪
地址: 518057 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明披露了一种基于衬底集成波导开口谐振环的微波带通滤波器,包括:在介质基板固定两排金属构件,组成衬底集成波导;该衬底集成波导的两端各连有一微带馈线,微带馈线和衬底集成波导的表面均为金属介质;在衬底集成波导的上表面位于两排金属构件之间腐蚀出m*n开口谐振环阵列;在衬底集成波导的下表面位于两排金属构件之间且对应于每列开口谐振环腐蚀出一排哑铃形面积体或哑铃形的变形面积。本发明的带通滤波器带外衰减陡峭、体积小、重量轻且功率容量大,易于和其它的平面微波毫米波电路集成,因而有望应用在微波毫米波混合集成电路或者毫米波集成电路中。
搜索关键词: 基于 衬底 集成 波导 开口 谐振 微波 带通滤波器
【主权项】:
一种基于衬底集成波导开口谐振环的微波带通滤波器,包括:在介质基板固定两排金属构件,组成衬底集成波导;该衬底集成波导的两端各连有一微带馈线,所述微带馈线和所述衬底集成波导的表面均为金属介质;在所述衬底集成波导的上表面位于所述两排金属构件之间腐蚀出m*n开口谐振环阵列;在所述衬底集成波导的下表面位于两排金属构件之间且对应于每列开口谐振环腐蚀出一排哑铃形面积体或所述哑铃形的变形面积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中兴通讯股份有限公司,未经中兴通讯股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010586893.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top