[发明专利]一种磁控溅射源及磁控溅射设备无效
| 申请号： | 201010588197.7 | 申请日： | 2010-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102534522A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 夏威;文莉辉 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张天舒;陈源 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁控溅射源及磁控溅射设备。其中，磁控溅射源包括磁控管及用于驱动该磁控管的驱动装置；借助该驱动装置可驱动磁控管以任意轨迹对靶材平面进行扫描，从而使靶材各个区域的消耗速率趋于一致，进而大幅提高靶材的利用率。本发明提供的磁控溅射设备中设置有上述本发明提供的磁控溅射源，因而其同样能够大幅提高靶材的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 设备 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射源，包括磁控管及用于驱动所述磁控管的驱动装置，其特征在于，所述驱动装置可驱动所述磁控管以任意轨迹对靶材平面进行扫描。
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