[发明专利]一种大直径硅片制造工艺有效
| 申请号： | 201010588498.X | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102528597A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 库黎明;闫志瑞;索思卓;鲁进军;葛钟;常青 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B7/22 | 分类号： | B24B7/22;B24B29/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大直径硅片制造工艺，该工艺包括：(1)将倒角后的硅片用双面磨削机进行双面磨削，磨削砂轮使用2000#～3000#，去除量为20～100微米；(2)将硅片单面磨削，单面磨削只磨一面，或者磨完一面再磨另一面。磨一面的去除量为5～20微米，磨削砂轮使用5000#～8000#；(3)将硅片进行碱腐蚀，碱使用KOH，去除量为0.1～5微米；(4)将单面磨削片进行常规双面抛光，其去除量为10～30微米；(5)将硅片进行单面精抛和清洗。在双面磨削后或单面磨削后加入激光刻字工艺，(1)～(5)步工艺之后可以加入清洗干燥工艺。通过本工艺制造硅片，可以获得高平整度的硅片，同时可以大大提高硅片的加工效率，本发明是一种低损伤并且高精度的硅片制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直径 硅片 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种大直径硅片制造工艺，其特征在于：它包括以下的步骤：(1)将倒角后的硅片用双面磨削机进行双面磨削；(2)将硅片单面磨削；(3)将硅片进行碱KOH腐蚀；(4)将单面磨削片进行常规双面抛光；(5)将硅片进行单面精抛和清洗。
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