[发明专利]锗硅异质结NPN晶体管及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅异质结NPN晶体管，集电区形成于有源区中和其两侧的浅槽场氧底部的N型赝埋层相连接并通过深孔接触引出；通过外侧墙形成一发射极窗口；发射极窗口底部的P型锗硅外延层为本征基区、发射极窗口外部的P型锗硅外延层通过离子注入进一步掺杂形成外基区；外侧墙能防止外基区的离子影响本征基区。发射区由完全填充于发射极窗口内并在顶部延伸到发射极窗口外部N型多晶硅组成。本发明还公开了一种锗硅异质结NPN晶体管的制造方法。本发明能够减小器件尺寸、减小寄生电阻、提高特征频率，能简化工艺流程、减少光刻版的使用、降低成本，实现工艺尺寸的精确控制。

主权项

一种锗硅异质结NPN晶体管，形成于P型硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，所述锗硅异质结NPN晶体管包括：一集电区，由形成于所述有源区中的一N型离子注入区组成，所述集电区深度大于所述浅槽场氧底部的深度；一赝埋层，由形成于所述有源区两侧的浅槽场氧底部的N型离子注入区组成，所述赝埋层在所述有源区的底部边缘和所述集电区形成连接，通过在所述赝埋层顶部的浅槽场氧形成的深孔接触引出集电极；一P型锗硅外延层，形成于所述硅衬底的所述有源区和所述浅槽场氧上；在所述P型锗硅外延层上形成有外侧墙，所述外侧墙的内壁围成一发射极窗口；所述发射极窗口正下方的所述P型锗硅外延层形成本征基区；所述外侧墙的外壁外部的所述P型锗硅外延层形成外基区，所述外基区的P型杂质还包括外基区的P型离子注入杂质，所述外基区的离子浓度大于所述本征基区的离子浓度；所述外侧墙正下方的所述P型锗硅外延层为所述外基区和所述本征基区的连接区，所述连接区的离子浓度在所述本征基区和所述外基区的离子浓度之间；通过在所述外基区的上部形成的金属接触引出基极；一发射区，由完全填充于所述发射极窗口内并在顶部延伸到所述发射极窗口外部的N型多晶硅组成，通过在所述发射区的上部形成的金属接触引出发射极。