[发明专利]固体摄像装置及其制造方法有效
申请号: | 201010589138.1 | 申请日: | 2010-12-15 |
公开(公告)号: | CN102104053A | 公开(公告)日: | 2011-06-22 |
发明(设计)人: | 成濑纯次;田中长孝 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 杨谦;胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的背光型固体摄像装置,在半导体基体上具备配置有多个单位像素的摄像区域,上述单位像素包括光电变换部和信号扫描电路部,在与形成有上述信号扫描电路部的上述半导体基体的表面相反侧的基体表面上形成光照射面,上述单位像素具备高灵敏度像素和低灵敏度像素,该低灵敏度像素的光灵敏度比上述高灵敏度像素低,上述高灵敏度像素和上述低灵敏度像素在上述半导体基体中的上述光照射面侧,具有为了分离像素而配置的第一像素分离层,在上述光照射面侧的上述半导体基体中,上述高灵敏度像素的上述第一像素分离层之间的开口比上述低灵敏度像素的上述第一像素分离层之间的开口大。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种背光型固体摄像装置,在半导体基体上具备配置有多个单位像素的摄像区域,上述单位像素包括光电变换部和信号扫描电路部,在与形成有上述信号扫描电路部的上述半导体基体的表面相反侧的基体表面上形成光照射面,其特征在于,上述单位像素具备高灵敏度像素和低灵敏度像素,该低灵敏度像素的光灵敏度比上述高灵敏度像素低,上述高灵敏度像素和上述低灵敏度像素在上述半导体基体中的上述光照射面侧,具有为了分离像素而配置的第一像素分离层,在上述光照射面侧的上述半导体基体中,上述高灵敏度像素的上述第一像素分离层之间的开口比上述低灵敏度像素的上述第一像素分离层之间的开口大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的