[发明专利]Ti-Ni-Hf-Cu四元高温形状记忆合金薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201010589307.1 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102080208A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 孟祥龙;傅宇东;吴冶;蔡伟 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | Ti-Ni-Hf-Cu四元高温形状记忆合金薄膜及其制备方法，它涉及一种薄膜及其制备方法。本发明解决了现有的形状记忆合金薄膜相变温度低、较脆的问题。制备方法如下：一、将衬底放入真空室靶台上，采用Ti-Ni-Hf-Cu四元合金靶作为靶材，然后溅射，得到薄膜；二、将步骤一得到的薄膜在450℃～750℃的条件下保温30min～60min完成晶化，即得Ti-Ni-Hf-Cu四元高温形状记忆合金薄膜。本发明的Ti-Ni-Hf-Cu四元合金薄膜，其相变温度可达到100℃以上，可在较高温度下应用，力学性能良好，且其成本较三元Ti-Ni-Hf合金薄膜略有下降。 | ||
| 搜索关键词： | ti ni hf cu 高温 形状 记忆 合金 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
Ti‑Ni‑Hf‑Cu四元高温形状记忆合金薄膜，其特征在于所述Ti‑Ni‑Hf‑Cu四元高温形状记忆合金薄膜由Ti、Ni、Hf和C四种元素组成，其中Ni的原子个数比为34～49％，Hf的原子个数比为10～25％，Cu的原子个数比为1～15％，其余为Ti，并且Ti原子个数和Hf原子个数之和与Ni原子个数和Cu原子个数之和的比为1.041～1.222∶1。
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