[发明专利]隔离结构的制备方法及其半导体元件

摘要

本发明揭示一种隔离结构的制备方法及其半导体元件，该半导体元件包含一基板及一隔离结构，该隔离结构包含设置于该基板中的一沟槽、设置于该沟槽的下部的一下填充层以及设置于该下填充层之上的一上填充层，其中该下填充层的密度大于该上填充层的密度，或该下填充层包含氯。本发明的另一实施例揭示一种隔离结构的制备方法，包含下列步骤：形成一沟槽于一基板中，该沟槽包含一底面及多个侧面；形成一氮化物衬层于该沟槽的侧面；从该沟槽的底面成长一外延硅层；氧化该外延硅层以形成一下填充层于该沟槽的下部；以及在该下填充层上方的沟槽内填入介电材料。本发明具有良好的电气隔离特性。

主权项

一种半导体元件，其特征在于，包含：基板；以及隔离结构，该隔离结构包含：沟槽，设置于该基板中；下填充层，设置于该沟槽的下部；以及上填充层，设置于该下填充层之上；其中该下填充层的密度大于该上填充层的密度。