[发明专利]一种具有氧化物纳米阵列结构的发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010589576.8 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102097568A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 王汉华;项艺;杨新民;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有氧化物纳米阵列结构的发光二极管及其制备方法。所述发光二极管包括沉积在所述发光二极管表面的透明导电层，和覆盖于该透明导电层表面或者掩埋在其中的呈阵列分布的氧化物颗粒。该发光二极管的制备方法包括旋涂、压模、UV照射、脱模、RIE、沉积、和lift-off步骤，在RIE和沉积步骤之间还可有刻蚀步骤。本发明的发光二极管的呈阵列分布的氧化物颗粒结构能够造成光的散射，破坏原本应该被全内反射的光，而允许更多的光子逃逸出发光二极管，从而降低了发光二极管的全反射影响，提高发光二极管的出光率。该制备方法在提高发光二极管光提取效率的同时不涉及有源层和p型GaN的等离子体刻蚀，因而不会造成等离子损伤进而影响发光二极管的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 氧化物 纳米 阵列 结构 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有氧化物纳米阵列结构的发光二极管，包括依次设有的衬底、缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层和透明导电层，所述第一半导体层上设有第一电极，所述第二半导体层上设有第二电极，其特征在于：还包括呈阵列分布的氧化物颗粒，所述呈阵列分布的氧化物颗粒覆盖于所述透明导电层表面，或者嵌入所述透明导电层并部分暴露于透明导电层表面，或者沉积于所述透明导电层与第二半导体层之间。
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