[发明专利]半导体器件结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201010589577.2 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102543736A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/31;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于制作半导体器件结构的方法，包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构包括半导体衬底；蚀刻所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分形成凹槽，从而使得夹在所述凹槽之间的部分形成虚设栅极结构；在所述半导体衬底上形成位于所述虚设栅极结构两侧且紧靠所述虚设栅极结构的横向扩散阻挡壁；以及在所述半导体衬底的表面和所述虚设栅极结构的表面上形成衬底外延层并对所述衬底外延层进行平坦化。该方法能够有效地抑制源/漏区中杂质的横向扩散并使其能够与纵向扩散分开单独设计，从而能够改善半导体器件的SCE效应以及S/D区的过度耗尽，进而提高半导体器件的整体电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于制作半导体器件结构的方法，包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构包括半导体衬底；蚀刻所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分形成凹槽，从而使得夹在所述凹槽之间的部分形成虚设栅极结构；在所述半导体衬底上形成位于所述虚设栅极结构两侧且紧靠所述虚设栅极结构的横向扩散阻挡壁；以及在所述半导体衬底的表面和所述虚设栅极结构的表面上形成衬底外延层并对所述衬底外延层进行平坦化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010589577.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于锂离子电池极耳的定位冲切装置
- 下一篇：电力线路导线压接管校正装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
