[发明专利]太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201010589786.7 | 申请日: | 2010-12-15 |
公开(公告)号: | CN102097518A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 朱振东;李群庆;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/0352;H01L31/18 |
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地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种太阳能电池,包括:一背电极、一硅片衬底、一掺杂硅层以及一上电极。其中,所述硅片衬底包括一第一表面以及与该第一表面相对设置的一第二表面,所述硅片衬底的第二表面设置有多个阶梯状的三维纳米结构;所述背电极设置于所述硅片衬底的第一表面,并与该第一表面欧姆接触;所述掺杂硅层形成于所述三维纳米结构的表面以及相邻三维纳米结构之间的硅片衬底的第二表面;所述上电极设置于所述掺杂硅层的至少部分表面。本发明还涉及一种所述太阳能电池的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,其包括:一硅片衬底,所述硅片衬底具有一第一表面以及与该第一表面相对设置的一第二表面,所述硅片衬底的第二表面设置有多个三维纳米结构,该三维纳米结构为阶梯状结构;一背电极,所述背电极设置于所述硅片衬底的第一表面,并与该第一表面欧姆接触;一掺杂硅层,所述掺杂硅层设置于所述三维纳米结构的表面以及相邻三维纳米结构之间的硅片衬底的第二表面;以及一上电极,所述上电极设置于所述掺杂硅层的至少部分表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的