[发明专利]用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法有效
| 申请号： | 201010590406.1 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102569644A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;许建安;饶峰;吴良才;刘波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法，该材料是一种含有锑、碲、氮、硅四种元素的混合物，具有可逆相变能力的Sb2Tey（1 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 sb sub te si 复合 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于相变存储器的Sb2Tey‑Si3N4复合相变材料，其特征在于：是一种由Sb2Tey和Si3N4复合而成的混合物，其化学式为(Sb2Tey)x(Si3N4)100‑x，其中1＜y＜3，60＜x＜100。
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