[发明专利]量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法

摘要

一种量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法，包括：在n型InP衬底上外延生长n型InP缓冲层、电吸收调制器下限制层、电吸收调制器多量子阱、电吸收调制器上限制层和本征InP注入缓冲层；生长SiO2保护层；形成放大器区和电吸收调制器区；腐蚀掉电吸收调制器区的SiO2保护层，在本征InP注入缓冲层上生长SiO2层；快速热退火；腐蚀掉SiO2层；在电吸收调制器上限制层上依次生长n型InP光限制因子调整层、放大器下限制层、放大器多量子阱和放大器上限制层；腐蚀掉电吸收调制器区的放大器上限制层、放大器多量子阱、放大器下限制层和n型InP光限制因子调整层；在放大器区和电吸收调制器区上生长p型InP包层和p型InGaAs电极接触层，完成器件的制作。

主权项

一种量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在n型InP衬底上依次外延生长n型InP缓冲层、电吸收调制器下限制层、电吸收调制器多量子阱、电吸收调制器上限制层和本征InP注入缓冲层；步骤2：利用热氧化的方法在本征InP注入缓冲层上生长SiO2保护层；步骤3：利用光刻板，腐蚀去除本征InP注入缓冲层上一侧的SiO2保护层，腐蚀去除SiO2保护层的部分为放大器区，保留SiO2保护层的部分为电吸收调制器区；步骤4：使用热耙低能磷离子注入，在放大器区的本征InP注入缓冲层产生点缺陷；步骤5：利用HF溶液腐蚀掉电吸收调制器区的SiO2保护层，同时利用PECVD方法在本征InP注入缓冲层上生长SiO2层，以免随后的快速热退火过程中表面的InP发生分解；步骤6：快速热退火；步骤7：利用HF溶液腐蚀掉SiO2层，同时利用HCl∶H2O＝4∶1溶液腐蚀掉本征InP注入缓冲层；步骤8：清洗后，在电吸收调制器上限制层上依次生长n型InP光限制因子调整层、放大器下限制层、放大器多量子阱和放大器上限制层；步骤9：利用光刻版，保护放大器区，腐蚀掉电吸收调制器区的放大器上限制层、放大器多量子阱、放大器下限制层和n型InP光限制因子调整层；步骤10：清洗后，在放大器区和电吸收调制器区上生长p型InP包层和p型InGaAs电极接触层，完成器件的制作。