[发明专利]InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构无效
| 申请号： | 201010591575.7 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102064472A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 孔金霞;徐波;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构，包括：一衬底；一下包覆层制作在衬底上；一下波导层制作在下包覆层上，作为载流子限制层，提高电子-空穴复合效率，提高激光器的工作温度；一1-20周期的匹配或张应变结构层制作在下波导层上，作为激光器的有源区，是激光器的核心部位；一上波导层制作在1-20周期的匹配或张应变结构层上，作为载流子限制层，将载流子限制在有源区，进而提高电子-空穴复合效率，提高激光器工作温度；一上包覆层制作在上波导层上；一欧姆接触层制作在上包覆层上，其晶格常数与衬底匹配；一上电极制作在欧姆接触层上，为有源区提供空穴；一下电极制作在减薄后的衬底上，为有源区提供电子。 | ||
| 搜索关键词： | inp 波长 量子 激光器 结构 | ||
【主权项】：
一种InP基长波长2‑3μm准量子点激光器结构，包括：一衬底；一下包覆层，该下包覆层制作在衬底上，该下包覆层起到缓冲层的作用；一下波导层，该下波导层的晶格常数与衬底的晶格常数匹配，该下波导层制作在下包覆层上，作为载流子限制层，提高电子‑空穴复合效率，提高激光器的工作温度；一1‑20周期的匹配或张应变结构层，其制作在下波导层上，作为激光器的有源区，是激光器的核心部位；一上波导层，该上波导层的晶格常数与衬底匹配，该上波导层制作在1‑20周期的匹配或张应变结构层上，作为载流子限制层，将载流子限制在有源区，进而提高电子‑空穴复合效率，提高激光器工作温度；一上包覆层，该上包覆层制作在上波导层上，对有源区发出的光进行限制，使有源区发出的光沿波导轴向传播，对上包覆层进行p型掺杂，使其更好地给有源区提供空穴；一欧姆接触层，该欧姆接触层制作在上包覆层上，其晶格常数与衬底匹配；一上电极，该上电极制作在欧姆接触层上，为有源区提供空穴；一下电极，该下电极制作在减薄后的衬底上，为有源区提供电子。
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