[发明专利]下电极装置和半导体设备有效
| 申请号： | 201010591768.2 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102548179A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈鹏 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张天舒;陈源 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种下电极装置和半导体设备。该下电极装置包括下电极、匹配器和射频电源，所述匹配器和所述射频电源连接，所述匹配器通过连接体连接于所述下电极上。本发明采用的连接体可通过较大的电流，满足了大电流的要求，无需定制超大规格的连接器和电缆，从而降低了成本以及节省了开发时间；无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了由于定制的连接器和电缆的通用性低而导致的设备可维护性低的问题，从而提高了设备的可维护性；无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了采用定制的超大规格的连接器和电缆而导致的设备可靠性低的问题，从而提高了设备的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 装置 半导体设备 | ||
【主权项】：
一种下电极装置，包括：下电极、匹配器和射频电源，所述匹配器和所述射频电源连接，其特征在于，所述匹配器通过连接体连接于所述下电极上。
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