[发明专利]一种含底充胶的大面阵红外探测器结构优化方法无效
申请号: | 201010591889.7 | 申请日: | 2010-12-16 |
公开(公告)号: | CN102122309A | 公开(公告)日: | 2011-07-13 |
发明(设计)人: | 孟庆端;张立文;张晓玲;普杰信 | 申请(专利权)人: | 河南科技大学 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50;H01L31/18 |
代理公司: | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人: | 陈浩 |
地址: | 471003 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明涉及一种含底充胶的大面阵红外探测器结构优化方法,采用小面阵等效大面阵的方法,降低了器件结构分析对仿真平台的要求,提高了结构分析的效率与准确率,使设计的探测器结构稳定性更强、疲劳寿命更高。 | ||
搜索关键词: | 一种 含底充胶 大面 红外探测器 结构 优化 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种含底充胶的大面阵红外探测器结构优化方法,其特征在于,步骤如下:根据大面阵红外焦平面探测器的阵列规模,确定一个较小的探测器阵列规模,这里(n=1,2,3…);根据相邻材料间热膨胀失配位移公式:,进而建立起等效于阵列规模红外焦平面探测器的有限元模型:将步骤a)所述阵列规模探测器结构中光敏元阵列与铟柱、底充胶的热膨胀系数之差增加倍,光敏元阵列芯片的热膨胀系数,这里阵列规模探测器结构中铟柱焊点距对称中心轴的距离为阵列规模的;根据器件结构的对称性,这里采用1/8结构进行建模;上式中:为热膨胀失配位移,L为面阵探测器中铟柱焊点距对称中心轴的距离,和分别为面阵探测器中相邻材料的热膨胀系数,相邻材料是指所述光敏元阵列与铟柱、底充胶,为降温范围;对步骤b)中得到的阵列规模探测器有限元模型,设定相应的结构参数,包括铟柱的直径、高度和光敏元阵列芯片的厚度;设定材料参数和材料分析模型;进行有限元网络划分,这里采用自由网格划分;确定边界条件和初始状态;求解所述阵列规模探测器的结构应力,记录光敏元阵列芯片上的最大应力和应力分布;调整步骤c)中所述设定的结构参数,铟柱的直径、或铟柱的高度、或光敏元阵列芯片的厚度,重复步骤d)到f),得出所述阵列规模红外焦平面探测器的结构应力与结构参数之间的关系,确定最小应力值对应的结构参数,即得到阵列规模大面阵红外焦平面探测器的结构最优参数。
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