[发明专利]实现与p型ZnS准一维纳米材料欧姆接触的电极及其制备方法无效
| 申请号： | 201010592449.3 | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102544075A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 于永强;蒋阳;揭建胜;吴春艳;王莉;朱志峰 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/44;H01L21/443;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现与p型ZnS准一维纳米材料欧姆接触的电极及其制备方法，其特征是电极是以Cu膜和A膜构成的Cu/A复合电极，其中A膜为Au膜、Ni膜或Pt膜，复合电极中与p型ZnS材料相接触的是Cu膜，外层为A膜。通过电子束蒸发的方式首先在p型ZnS材料上形成Cu膜，再在Cu膜的表面形成A膜。本发明方法解决了金属电极与p型ZnS准一维纳米材料直接形成欧姆接触的问题，可用于p型ZnS准一维纳米材料相关器件制备与研究，电极制备方法简单，可靠，易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 zns 准一维 纳米 材料 欧姆 接触 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种实现与p型ZnS准一维纳米材料欧姆接触的电极，其特征是所述电极是以Cu膜和A膜构成的Cu/A复合电极，所述A膜为Au膜、Ni膜或Pt膜，所述复合电极中与p型ZnS材料相接触的是Cu膜，外层为A膜。
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