[发明专利]一种PMOLED扫描电极布线结构

摘要

本发明涉及平面显示技术，其针对传统技术的不足，公开了一种新型的PMOLED扫描电极布线结构，减小扫描电极的自身压降，保证PMOLED显示屏的的发光亮度，改善其品质。其技术方案的要点可概括为：增大了扫描电极的第一段宽度，按照金属薄膜电阻的定义，扫描电极面积越大，则电阻越低，因此，减小了因扫描电极引起的电压降，从而保证了发光亮度；同时对于不同的扫描电极的第三段采取了渐变式的设计：扫描电极宽度从外向内逐渐减小，从而减小了行与行之间的亮度显示差异，改善了PMOLED显示屏的品质。本发明适用于PMOLED显示屏。

主权项

一种PMOLED扫描电极布线结构，包括像素点阵列和分布在像素点阵列左右两侧的n个扫描电极，n等于像素点阵列的行数；第一个扫描电极分布在像素点阵列的一侧连接像素点阵列的第一行，第二个扫描电极分布在像素点阵列的另一侧连接像素点阵列的第二行，第三个扫描电极分布在像素点阵列的一侧连接像素点阵列的第三行，第四个扫描电极分布在像素点阵列的另一侧连接像素点阵列的第四行…以此类推；其中，每个扫描电极分五段设计：第一段为与像素点连接的接触孔；第二段为接触孔的引出电极；第三段为竖直方向布线的电极；第四段为向中央倾斜布线的电极；第五段为竖直方向布线的电极；处于像素点阵列同侧的各扫描电极的第二段逐渐缩短，其特征在于：每个扫描电极的第一段的宽度为两个像素点高度之和。