[发明专利]一种闪存单元形成方法有效
| 申请号： | 201010593211.2 | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102569078A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 沈亿华;宋化龙;李亮;史运泽;涂火金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种闪存单元形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面依次形成有衬垫氧化层和刻蚀停止层，所述衬底内包含至少两个有源区，相邻有源区之间以浅沟槽隔离结构隔开；依次去除所述衬底表面的刻蚀停止层和衬垫氧化层；采用化学气相沉积法在衬底表面形成隧穿氧化层；对所述隧穿氧化层进行后期氧化退火处理。本发明所提供的闪存单元形成方法避免了双峰效应和反窄沟道效应，并且闪存单元的周期耐久性比较好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 单元 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种闪存单元形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；采用化学气相沉积法在衬底表面形成隧穿氧化层；对所述隧穿氧化层进行后期氧化退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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