[发明专利]一种用于集成电路芯片的复合通孔互连结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201010593270.X | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102130091A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;胡凯;林新元;张勇;袁育杰 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01L21/285 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种用于集成电路芯片的复合通孔互连结构，包括第一导电层、第二导电层、碳纳米管束和填充的导电金属，第一导电层和第二导电层之间设有垂直通孔，碳纳米管束位于垂直通孔内且与第一导电层垂直，导电金属为填充碳纳米管内的空隙和通孔内碳纳米管之间的间隙。本发明中的优点：用高束密度的碳纳米管束填充通孔，能明显提高导电能力；用导电金属填充通孔内的其余空隙，在提高通孔导电性的同时，还可以固定通孔中的碳纳米管使其具有长期稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 集成电路 芯片 复合 互连 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于集成电路芯片的复合通孔互连结构，其特征在于：包括第一导电层、第二导电层、碳纳米管束和填充的导电金属，第一导电层和第二导电层之间设有垂直通孔，碳纳米管束位于垂直通孔内且与第一导电层垂直，导电金属为填充碳纳米管内的空隙和通孔内碳纳米管之间的间隙。
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