[发明专利]一种基于金刚石薄膜的LED散热基底及其制作方法有效
| 申请号： | 201010593297.9 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102130244A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;张涛峰;王芳;曲长庆;王莎莎 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于金刚石薄膜的散热基底，包括硅衬底、金刚石薄膜和过渡层，在硅衬底上制备金刚石薄膜具有硅上金刚石(DOS)结构，所述金刚石薄膜表面粗糙度在去除封端顶层和进行表面平坦化处理后为纳米量级并进行表面改性；过渡层为Ti薄膜，在制备金属凸点之前先沉积于表面改性后的金刚石薄膜上。本发明的优点是：采用导热率最高的金刚石薄膜来作为LED基底的散热层，形成硅上金刚石(DOS)结构，大大提高了散热的效率。同时在散热沉底上直接制作焊接用的金属凸点，减少热量的传输距离，利用热化学机械平坦化对金刚石表面进行表面改性及平坦化，改善表面粗糙度，激活表面的价健从而改善金刚石薄膜与金属凸点的粘附性，防止接触界面中间产生气泡等缺陷，形成的良好接触界面能够降低结热阻，提高散热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金刚石 薄膜 led 散热 基底 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于金刚石薄膜的散热基底，其特征在于：包括硅衬底、金刚石薄膜和过渡层，在硅衬底上制备金刚石薄膜具有硅上金刚石(DOS)结构，所述金刚石薄膜表面粗糙度在去除封端顶层和进行表面平坦化处理后为纳米量级并进行表面改性；过渡层为Ti薄膜，其厚度为10nm～50nm，在制备金属凸点之前先沉积于表面改性后的金刚石薄膜上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学，未经天津理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010593297.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
