[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置的制造方法。根据该方法，槽结构的栅极绝缘膜不会受到形成发射极层等时的砷离子的损伤，并且能够低成本地制造提高了栅极绝缘膜的绝缘耐压的半导体装置。在高温炉等中使埋入槽(3)内而形成的由多晶硅构成的栅极电极(5)热氧化，以在栅极电极(5)上形成厚的多晶硅热氧化膜(6)。此后，离子注入杂质离子以形成成为发射极层等的N型半导体层(8)。在该情况下，将多晶硅热氧化膜(6)形成为膜厚度大于为了通过离子注入形成成为发射极层等的N型半导体层(8)而杂质离子在硅氧化膜中的平均射程。由此，防止杂质离子损伤夹在栅极电极(5)和N型半导体层(8)之间的栅极绝缘膜(4)。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：准备在第一导电型第一半导体层上具有第二导电型第二半导体层的半导体基板的工序；形成自所述第二半导体层的表面延伸至所述第一半导体层内的槽的工序；形成自所述槽的内壁延伸至所述第二半导体层的表面的栅极绝缘膜的工序；在形成有所述栅极绝缘膜的所述槽内形成栅极电极的工序；通过使所述栅极电极热氧化，在所述栅极电极的上表面形成栅极电极保护膜的工序；在形成所述栅极电极保护膜后，在所述第二半导体层内离子注入杂质离子以形成第一导电型杂质区域的工序。