[发明专利]离子植入的在线检测方法无效
| 申请号： | 201010593427.9 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102130032A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 阳厚国 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 宋松 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种离子植入的在线检测方法，通过利用后继氧化制程所生成的SiO2氧化层厚度同本底杂质的对应关系，借助于一般厚度量测机台，对经过离子植入和氧化制程的测试样片进行薄膜厚度量测，可得出离子植入所达到的植入离子浓度，轻易的实现在线检测，大大的避免了拖至WAT阶段检测出废品所带来的加工过程的浪费，降低了晶片大宗报废的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 植入 在线 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种离子植入的在线检测方法，其特征在于包含以下步骤：(1)在正式芯片的边角位置配置相应的测试样片；(2)在离子植入时，对测试样片同时进行离子植入；(3)利用随后的加热氧化制程在测试样片表面同步生成SiO2氧化层；(4)量测SiO2氧化层的薄膜厚度，根据该剂量和能量的条件下氧化层厚度与本底杂质的对应关系，判断出离子植入所达到的植入离子浓度，从而实现在线检测。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010593427.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
