[发明专利]一种清除第Ⅲ族元素和第V族元素化合物沉积物残余的方法有效
| 申请号： | 201010593508.9 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102011097A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 尹志尧;孟双;杜志游 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种有效地清除第III族元素和第V族元素化合物薄膜生长装置的反应腔内的沉积物残余的方法，包括以下步骤：(a1)向所述反应腔内通入一第一清洁气体，所述第一清洁气体包括含H或含Cl或含F或含Br的气体，并在所述反应腔内形成该第一清洁气体的等离子体，维持所述第一清洁气体的等离子体一第一时间段，以部分地清除所述沉积物残余；(a2)向所述反应腔内通入一第二清洁气体，所述第二清洁气体包括含O的气体，并在所述反应腔内形成该第二清洁气体的等离子体，维持所述第二清洁气体的等离子体一第二时间段，以部分地清除所述沉积物残余；(b)交互地重复前述步骤(a1)和步骤(a2)。本发明的方法能大大地节省生产者的成本和提高整个MOCVD生产装置的有效工艺时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清除 元素 化合物 沉积物 残余 方法 | ||
【主权项】：
一种清除第III族元素和第V族元素化合物薄膜生长装置的反应腔内的沉积物残余的方法，所述方法包括以下步骤：(a)选择执行下述步骤(a1)和(a2)中的任何一个步骤：(a1)向所述反应腔内通入一第一清洁气体，所述第一清洁气体包括含H或含Cl或含F或含Br的气体，并在所述反应腔内形成该第一清洁气体的等离子体，维持所述第一清洁气体的等离子体一第一时间段，以部分地清除所述沉积物残余；(a2)向所述反应腔内通入一第二清洁气体，所述第二清洁气体包括含O的气体，并在所述反应腔内形成该第二清洁气体的等离子体，维持所述第二清洁气体的等离子体一第二时间段，以部分地清除所述沉积物残余；(b)在执行完步骤(a)中所述的一个步骤后，再执行步骤(a1)和(a2)中没有被执行的另外一个步骤；(c)交互地重复前述步骤(a)和步骤(b)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）有限公司，未经中微半导体设备（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010593508.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
