[发明专利]单晶硅生长用石英坩埚的两步制备法及装置无效
| 申请号： | 201010593772.2 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102557400A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张洪齐 | 申请（专利权）人： | 罗万前 |
| 主分类号： | C03B20/00 | 分类号： | C03B20/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610067 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶硅生长用的石英坩埚的两步制备法及装置.本发明第一步首选专利中请分号为201010204350.1，其单位时间产量很高的内热式由石英波巨皮玻璃连续电熔炉，按与一般连续电熔石英玻璃相近的工艺，熔制出与坩埚直径相同的石英玻璃管；第二步，将此管截断后，放在专用程控火焰收口封底装置上，采用与常用玻璃管材收口封底相似的工艺，进行收口封底，将管材制成坩埚.本发明制备的坩埚质量好；本发明的生长单晶硅石英坩埚的两步制备法，可大量生产坩埚，且节能，环保.可代替电弧法生产拉制单晶硅用的石英坩埚。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 石英 坩埚 制备 装置 | ||
【主权项】：
单晶硅生长用石英坩埚的两步制备法及装置，其特征在于：石英坩埚的制备分两步进行，第一步，利用石英玻璃连续电熔炉，拉制与坩埚直径相同的石英玻璃管；第二步，截断此管后，按一般石英玻璃管材用火焰加热收口封头相似的工艺，在专用火焰收口封底装置上，对截断的玻璃管进行火焰收口封底，封底后的制品即为所需的石英坩埚。
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