[发明专利]一种PbS量子点敏化ZnO纳米片光阳极的制备方法无效
| 申请号： | 201010594692.9 | 申请日： | 2010-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN102024573A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 杨峰;廖鑫;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/20;H01M14/00;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种PbS量子点敏化ZnO纳米片光阳极的制备方法，其具体作法是：在掺杂氟的SnO2导电玻璃上通过电沉积方法制备出ZnO纳米片，然后将制得的ZnO纳米片依次浸泡在0.1-0.15M的Pb(NO3)2溶液、去离子水、0.1-0.15M的Na2S溶液、去离子水中各40s、20s、10s、40s作为一次循环；经过8-15次循环浸泡后，用去离子冲洗3遍、烘干即得。该方法设备简单，合成步骤少，操作简单，能耗低，适合大规模生产；同时用该法制备的PbS量子点敏化ZnO纳米片光阳极还有很大的吸附空间，可以用其它半导体量子点进一步进行敏化，光电性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pbs 量子 点敏化 zno 纳米 阳极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种PbS量子点敏化ZnO纳米片光阳极的制备方法，其具体作法是：a、电沉积制备ZnO纳米片以铂片为辅助电极，饱和甘汞电极为参比电极，掺杂氟的SnO2导电玻璃为工作电极，电解液为Zn(NO3)2和KCl的混合液，其中Zn(NO3)2的浓度为0.04‑0.06M，KCl的浓度为0.05‑0.07M；电解池置于60‑80℃的恒温槽内，恒电压‑1.0～‑1.2V，搅拌条件下，电沉积1.5‑2小时，取出沉积物用去离子水冲洗干净、烘干，400‑450℃正火30‑50分钟得到ZnO纳米片；b、逐次化学浴制备ZnO/PbS复合膜将a步制得的ZnO纳米片依次浸泡在0.1‑0.15M的Pb(NO3)2溶液、去离子水、0.1‑0.15M的Na2S溶液、去离子水中各40s、20s、10s、40s作为一次循环；经过8‑15次循环浸泡后，用去离子冲洗3遍、烘干即得。
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