[发明专利]SONOS存储器工艺中在线监控ONO膜质量的方法有效
| 申请号： | 201010595054.9 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102543214A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 邱慈云;陈华伦;王超 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SONOS存储器工艺中在线监控ONO膜质量的方法，其包括：1)将SONOS存储器结构中的体区、源端和漏端接地；2)在SONOS存储器结构中的栅端加上小于1μA的正向电流，持续20-30秒的时间；3)接着在栅端加小于1nA的反向电流，同时扫描栅端电压，并绘制出电压-时间曲线；4)进行积分求得所绘制出的电压-时间曲线同坐标横轴所围的面积；5)将步骤4)所得数值跟标准数值进行比对判断出ONO膜的质量好坏。该方法在器件形成之后即可进行测试，可以实时监控，及时反馈到生产线上，延时判别对生产线的影响。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 存储器 工艺 在线 监控 ono 质量 方法 | ||
【主权项】：
一种SONOS存储器工艺中在线监控ONO膜质量的方法，其特征在于：1)将SONOS存储器结构中的体区、源端和漏端接地；2)在所述SONOS存储器结构中的栅端加上小于1μA的正向电流，持续20‑30秒时间；3)接着在栅端加小于1nA的反向电流，同时扫描栅端电压，并绘制出电压‑时间曲线；4)进行积分求得所绘制出的电压‑时间曲线同坐标横轴所围的面积；5)将步骤4)所得数值跟标准数值进行比对判断出ONO膜的质量好坏。
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