[发明专利]锗硅异质结NPN三极管器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅异质结NPN三极管器件，集电区形成于有源区中并和形成于有源区两侧的浅槽场氧底部的N型赝埋层相连接并通过深孔接触引出集电极；还包括由形成于P型锗硅外延层上的P型硅、氮化硅刻蚀后形成的发射极窗口，窗口底部的P型锗硅外延层组成本征基区，窗口外部的P型锗硅外延层和P型硅组成外基区；窗口的内侧壁形成有内侧墙，发射区由填充于窗口内并在顶部延伸到窗口外部N型多晶硅组成。本发明还公开了一种锗硅异质结NPN三极管的制造方法。本发明能够减小器件尺寸、减小集电极的寄生电阻、提高器件的特征频率，能简化工艺流程、降低工艺成本，能实现工艺尺寸的精确控制。

主权项

一种锗硅异质结NPN三极管器件，形成于P型硅层衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，所述锗硅异质结NPN三极管器件包括：一集电区，由形成于所述有源区中的一N型离子注入区组成，所述集电区深度大于所述浅槽场氧底部的深度；一赝埋层，由形成于所述有源区两侧的浅槽场氧底部的N型离子注入区组成，所述赝埋层在所述有源区的底部边缘和所述集电区形成连接，通过在所述赝埋层顶部的浅槽场氧形成的深孔接触引出集电极；一P型锗硅外延层，形成于所述硅衬底的所述有源区和所述浅槽场氧上，形成于所述有源区上的所述P型锗硅外延层和所述集电区形成接触；在所述P型锗硅外延层上依次形成有P型硅层和氮化硅层；一发射极窗口，通过刻蚀部分所述P型硅层和所述氮化硅层形成，所述发射极窗口位于所述有源区上方的中间区域且所述发射极窗口的尺寸小于所述有源区的尺寸；在所述发射极窗口的内侧壁上形成有内侧墙；由所述发射极窗口正下方的所述P型锗硅外延层组成本征基区；由所述发射极窗口外部的所述P型锗硅外延层及所述P型硅层组成外基区；通过在所述外基区的上部形成的金属接触引出基极；一发射区，由完全填充于形成有所述内侧墙的所述发射极窗口内并在顶部延伸到所述发射极窗口外部的氮化硅层上的N型多晶硅组成；通过在所述发射区的上部形成的金属接触引出发射极。