[发明专利]LED磊晶结构及制程无效
| 申请号： | 201010595677.6 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102569568A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 凃博闵;黄世晟;林雅雯 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/42;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED磊晶结构及制程，包括一个基板、一个磊晶层以及一个光萃取层。所述磊晶层成长在所述基板的顶面，所述光萃取层形成在所述磊晶层的表层。所述光萃取层具有一个光萃取面微结构层以及一个保护层。所述光萃取面微结构层形成在所述磊晶层具有的发光层与表层之间，所述保护层形成在所述光萃取面微结构层的结构体内。所述磊晶层的表面则形成一个透明导电层。本发明并提供制造所述LED磊晶结构的制程。 | ||
| 搜索关键词： | led 结构 | ||
【主权项】：
一种LED磊晶结构，包括一个基板、一个磊晶层以及一个光萃取层，所述磊晶层成长在所述基板的顶面，其特征在于：所述光萃取层形成在所述磊晶层的表层，所述光萃取层具有一个光萃取面微结构层以及一个保护层，所述光萃取面微结构层形成在所述磊晶层具有的发光层与表层之间，所述保护层形成在所述光萃取面微结构层的结构体内，所述磊晶层的表面形成一个透明导电层。
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