[发明专利]一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法无效
| 申请号： | 201010595700.1 | 申请日： | 2010-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102110594A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 彭红玲;郑婉华;石岩;马绍栋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法，包括：清洗单面抛光的GaAs外延片，去除表面的有机物；对该GaAs外延片进行光刻腐蚀，得到带窄条的GaAs外延片；在该GaAs外延片上蒸镀金属层；采用剥离方法去胶，得到一定厚度的金属条；清洗Si外延片，去除表面的有机物；采用H2SO4溶液及RCA1溶液对Si外延片表面进行处理，将清洗干净的Si外延片与GaAs外延片进行贴合，得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合，并进行热处理，以驱除键合界面的水汽；对键合后的晶片进行减薄，并腐蚀掉键合晶片的GaAs衬底。利用本发明，实现了GaAs与Si的低温金属键合，并可以推广到III-V族与III-V族(或IV族的Si、Ge等材料)的键合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas si 进行 低温 金属键 方法 | ||
【主权项】：
一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法，其特征在于，该方法包括：清洗单面抛光的GaAs外延片，去除表面的有机物；对该GaAs外延片进行光刻腐蚀，得到带窄条的GaAs外延片；在该GaAs外延片上蒸镀金属层；采用剥离方法去胶，得到一定厚度的金属条；清洗Si外延片，去除表面的有机物；采用H2SO4溶液及RCA1溶液对Si外延片表面进行处理，将清洗干净的Si外延片与GaAs外延片进行贴合，得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合，并进行热处理，以驱除键合界面的水气；以及对键合后的晶片进行减薄，并腐蚀掉键合晶片的GaAs衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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