[发明专利]基于表面等离子体共振的太赫兹发射器无效
| 申请号： | 201010596150.5 | 申请日： | 2010-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102157883A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 钟舜聪;沈耀春 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于表面等离子体共振的太赫兹发射器，包括砷化镓基板，其特征在于：所述砷化镓基板朝向飞秒激光脉冲的一侧面两端设有正、负极镀金薄膜，在飞秒激光脉冲入射方向的两旁分别设有用于产生等离子体共振的圆柱形金属杆和具有锥形头部的锥形头金属杆，所述锥形头金属杆的锥形头部与圆柱形金属杆之间设有纳米级或微米级间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 表面 等离子体 共振 赫兹 发射器 | ||
【主权项】：
一种基于表面等离子体共振的太赫兹发射器，包括砷化镓基板，其特征在于：所述砷化镓基板朝向飞秒激光脉冲的一侧面两端设有正、负极镀金薄膜，在飞秒激光脉冲入射方向的两旁分别设有用于产生等离子体共振的圆柱形金属杆和具有锥形头部的锥形头金属杆，所述锥形头金属杆的锥形头部与圆柱形金属杆之间设有纳米级或微米级间隙。
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