[发明专利]锗硅HBT结构、其赝埋层结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010596273.9 | 申请日： | 2010-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102543727A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈帆;毛文铭;刘东华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265;H01L29/737 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiGe HBT的制造方法，包括如下步骤：1)在P型衬底硅片上进行浅沟槽刻蚀；2)进行赝埋层的第一道注入，注入杂质为硼；3)进行赝埋层的第二道注入，注入杂质为铟；4)在浅沟槽内填入氧化硅形成场氧区；用光刻定义集电区，在有源区中进行离子注入形成集电区，再进行热推阱工艺，形成热扩散之后的赝埋层硼分布以及赝埋层铟分布；5)进行后续工艺，包括形成基区、发射区、在赝埋层顶部的场氧区中形成深接触孔引出集电极和金属连线，SiGe HBT器件最终形成。此外，本发明还公开了采用上述方法形成的赝埋层结构和SiGe HBT结构。本发明实现了深接触孔与赝埋层良好的欧姆接触，也降低了赝埋层的方块电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅 hbt 结构 赝埋层 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SiGe HBT的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在P型衬底硅片上进行浅沟槽刻蚀；2)进行赝埋层的第一道注入，注入杂质为硼；3)进行赝埋层的第二道注入，注入杂质为铟；4)在浅沟槽内填入氧化硅形成场氧区；用光刻定义集电区，在有源区中进行离子注入形成集电区，再进行热推阱工艺，形成热扩散之后的赝埋层硼分布以及赝埋层铟分布；5)进行后续工艺，包括形成基区、发射区、在赝埋层顶部的场氧区中形成深接触孔引出集电极和金属连线，完整的SiGe HBT器件最终形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
