[发明专利]用于集成电路器件的无烟静电释放保护电路有效
申请号: | 201010597401.1 | 申请日: | 2010-12-21 |
公开(公告)号: | CN102148225A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 詹姆斯·H·阮 | 申请(专利权)人: | 成都芯源系统有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02H9/04 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 徐宏;詹永斌 |
地址: | 611731 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了用于集成电路器件的无烟静电保护电路,涉及集成电路器件,其目的保护集成电路器件可以更可靠地通过“冒烟测试”而避免静电释放导致的器件损坏,ESD保护电路包括晶体管M2、二极管、晶体管M1和电阻器。晶体管M2的漏极耦接到I/O焊盘,M2的门极和源极耦接在一起。二极管的阴极耦接到M2的门极和M1的漏极/集电极。M1的门极/基极耦接到二极管的阳极,M1的源极/发射极耦接到接地焊盘;由于晶体管M2耦接在输入/输出(I/O)焊盘与晶体管和二极管之间,故限制流过二极管和晶体管的电流。 | ||
搜索关键词: | 用于 集成电路 器件 无烟 静电 释放 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种静电释放保护电路,耦接在输入/输出焊盘和接地焊盘之间,包括:结型场效应晶体管,包括漏极、门极和源极,其漏极到源极的击穿电压为Vbr2、漏极到源极的饱和电流为Isat,该结型场效应晶体管的漏极耦接到输入/输出焊盘,门极和源极耦接在一起,当该结型场效应晶体管被施加外部激励,漏极到源极就会产生电流;二极管,包括阴极和阳极,其击穿电压为Vbr1,该二极管的阴极耦接到所述结型场效应晶体管的门极;晶体管,包括集电极、基极和发射极,该晶体管的集电极耦接到所述结型场效应晶体管的源极,所述晶体管的基极耦接到所述二极管的阳极,所述晶体管的发射极耦接到所述接地焊盘;当该晶体管被施加外部激励,其基极和发射极之间会产生电压降Vbe;电阻器,耦接在所述晶体管的基极和接地焊盘之间;当施加于所述输入/输出焊盘和接地焊盘之间的电压小于Vbr1、Vbe和Vbr2电压之和时,所述结型场效应晶体管的漏极到源极电流的最大值被限制在所述饱和电流Isat。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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