[发明专利]高纯钽中痕量杂质的测定方法有效
申请号: | 201010597964.0 | 申请日: | 2010-12-21 |
公开(公告)号: | CN102565206A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 李艳芬;童坚;刘英;张卓;佟伶;李满芝 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院 |
主分类号: | G01N30/02 | 分类号: | G01N30/02;G01N30/86 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 耿小强 |
地址: | 100088 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种高纯钽中多个痕量杂质的测定方法,其步骤包括(1)配制钽样品溶液,其中钽样品含量为1~5g/L,HF为1~5vol%,硝酸为0.3~0.8vol%;(2)连接离子色谱、膜去溶装置和ICP-MS三装置,将制备好的样品溶液由浓缩泵泵入离子色谱的阳离子交换柱5分钟,杂质元素形成的阳离子吸附在交换柱,而基体钽形成的TaF72-或TaOF52-流经柱子不上柱,用氢氟酸淋洗交换柱,将柱子上残留的基体淋洗干净,启动联机工作程序,用硝酸洗脱吸附在阳离子交换柱(磺酸型阳离子交换柱)上的杂质,随同试样做空白试验。本方法干扰少、精度好,并且能满足多个痕量杂质的同时检测,避免了多次操作引入的误差。 | ||
搜索关键词: | 高纯 痕量 杂质 测定 方法 | ||
【主权项】:
一种高纯钽中多个痕量杂质的测定方法,其步骤如下:(1)配制钽样品溶液,其中钽样品含量为1~5g/L,HF为1~5vol%,硝酸为0.3~0.8vol%;(2)连接离子色谱、膜去溶装置和ICP‑MS三装置,将制备好的样品溶液100ml由浓缩泵泵入离子色谱的阳离子交换柱5min,杂质元素形成的阳离子吸附在交换柱,而基体钽形成的TaF72‑或TaOF52‑流经柱子不上柱,用氢氟酸淋洗交换柱,将柱子上残留的基体淋洗干净,启动联机工作程序,用硝酸洗脱吸附在阳离子交换柱上的杂质,随同试样做空白试验。
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