[发明专利]纵向PN结电压控制变容器及其制备方法无效
| 申请号： | 201010598399.X | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102544120A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 金勤海;张智侃;康志潇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纵向PN结电压控制变容器，为电压控制变容器中的PN结由具有沟槽的外延层和在所述沟槽内壁以及所述外延层上面的离子注入层组成，所述离子注入层具有与所述外延层相反的导电类型，所述PN结制备在掺杂类型与所述外延层相同的衬底上，所述离子注入层连接金属形成所述电压控制变容器的一个电极，所述衬底连接金属形成所述电压控制变容器的另一个电极。上述结构中，引入了沟槽设计，使得两电极间的PN结的结面积变大，加上反向偏压时耗尽区变宽，最终使电容值调节范围变大。本发明还公开了一种纵向PN结电压控制变容器的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 纵向 pn 电压 控制 容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纵向PN结电压控制变容器，其特征在于：由具有沟槽的外延层和在所述沟槽内壁以及所述外延层上面的离子注入层组成电压控制变容器中的PN结，所述离子注入层具有与所述外延层相反的导电类型，所述PN结制备在导电类型与所述外延层相同的衬底上，所述离子注入层连接金属形成所述电压控制变容器的一个电极，所述衬底连接金属形成所述电压控制变容器的另一个电极。
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