[发明专利]检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置及方法

摘要

本发明公开了一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置及方法，用于解决现有检测半导体晶体中富Te相的装置很难获得尺寸较大的视场，以及不能实现对晶体厚度方向的分层域聚焦成像的技术问题。技术方案是通过改变变焦镜筒的放大倍数实现了视场可调，同时高精度四坐标三维自动平移台的运用实现对富Te相的体密度观察。本发明利用这种检测装置检测半导体晶体中富Te相的方法，通过调整厚度方向的位置，实现分层域聚焦成像，从而观察富Te相在晶体内的形态，采用基于Labview的图像收集以及处理系统，首先将收集到的每个单独图片拼接成一整张大图，然后对拼好的图像不同灰度区域进行统计，进而分析晶体中富Te相在晶体内的分布。

主权项

一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置，包括光源(1)、镜筒(4)、载物台(6)、物镜(7)和红外CCD(8)，其特征在于：还包括透镜(2)、滤光片(5)、光学隔振平台(9)和电脑，所述光源(1)是卤钨灯，通过支撑杆固定于光学隔振平台(9)的一端，并通过电脑控制光源(1)的发光强度，光源(1)前置一透镜(2)，改变透镜(2)与光源(1)的距离调节光线的聚焦程度；透镜(2)右边放置滤光片(5)，并用支撑杆固定于光学隔振平台(9)上；所述载物台(6)是三维自动平移台，位于滤光片(5)右边，通过支撑杆固定于光学隔振平台(9)上，并与控制电脑相连；所述物镜(7)是红外光物镜，位于载物台右边，并用支撑杆固定于光学隔振平台(9)上；红外CCD(8)则由支撑杆固定于光学隔振平台(9)的另一端，并通过同轴电缆与控制电脑相连，用于红外光图像的采集；镜筒(4)是变焦镜筒，物镜(7)通过镜筒(4)与红外CCD(8)连接。